Resultados: 28
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
5,979En existencias
Cinta cortada
$4.12
$2.09
$1.90
$1.58
$1.49
Envase tipo carrete
$1.49
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
4,318En existencias
Cinta cortada
$4.18
$2.13
$1.93
$1.61
$1.52
Envase tipo carrete
$1.52
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 6.5 mOhms 20 V 3.8 V 43 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
1,401En existencias
Cinta cortada
$5.81
$3.05
$2.78
$2.51
$2.37
Envase tipo carrete
$2.37
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 248 A 2.6 mOhms 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
2,738En existencias
Cinta cortada
$3.80
$1.92
$1.73
$1.42
$1.33
Envase tipo carrete
$1.33
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms 20 V 2.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
5,095En existencias
Cinta cortada
$3.80
$2.48
$1.81
$1.52
Ver
Envase tipo carrete
$1.32
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 6.5 mOhms 20 V 3.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
2,553En existencias
Cinta cortada
$6.37
$3.37
$3.08
$2.84
$2.75
Envase tipo carrete
$2.65
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 273 A 2.05 mOhms 20 V 3.8 V 107 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
7,802En existencias
Cinta cortada
$4.37
$2.24
$2.03
$1.71
Envase tipo carrete
$1.71
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 198 A 2.55 mOhms 20 V 3.9 V - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package
Hoja de datos
161En existencias
1,000Se espera el 21/10/2026
$7.46
$4.99
$4.01
$3.56
$3.16
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 2.3 mOhms 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
51En existencias
12,600En pedido
Cinta cortada
$7.47
$4.89
$3.60
$3.20
$2.83
Envase tipo carrete
$2.83
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 80 V 408 A 1.1 mOhms 20 V 3.8 V 223 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
905En existencias
6,000Se espera el 28/1/2027
Cinta cortada
$4.15
$2.72
$2.03
$1.70
Ver
Envase tipo carrete
$1.47
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 16 A 5 mOhms 20 V 3.8 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
1,475En existencias
2,000Se espera el 5/11/2026
Cinta cortada
$9.87
$5.44
$5.07
$4.79
Envase tipo carrete
$4.79
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 333 A 1.3 mOhms 20 V 4.1 V 158 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IPP034N08N5XKSA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
615En existencias
$3.87
$1.96
$1.77
$1.56
$1.36
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.4 mOhms 20 V 3.8 V 69 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
3En existencias
500Se espera el 6/5/2027
$3.29
$1.64
$1.48
$1.19
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 44 A 8.3 mOhms 20 V 3.8 V 30 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
6En existencias
6,000Se espera el 17/12/2026
Cinta cortada
$4.12
$2.44
$1.91
$1.59
$1.53
Envase tipo carrete
$1.42
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 6.5 mOhms 20 V 3.8 V 43 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
92En existencias
Cinta cortada
$3.90
$1.99
$1.78
$1.46
Ver
Envase tipo carrete
$1.29
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 101 A 5 mOhms 20 V 3.8 V 35 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
10,784En pedido
Cinta cortada
$6.97
$4.66
$3.75
$3.33
$2.95
Envase tipo carrete
$2.95
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 100 V 365 A 1.4 mOhms 20 V 3.8 V 211 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
11,751En pedido
Cinta cortada
$6.80
$3.62
$3.31
$3.09
Envase tipo carrete
$2.89
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 100 V 139 A 4 mOhms 20 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
10,000Se espera el 28/1/2027
Cinta cortada
$4.23
$2.16
$1.76
$1.53
Ver
Envase tipo carrete
$1.43
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms 20 V 2.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
4,870Se espera el 26/11/2026
Cinta cortada
$6.01
$3.45
$2.90
$2.70
Ver
Envase tipo carrete
$2.45
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 323 A 1.57 mOhms 20 V 3.8 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
6,000Se espera el 11/2/2027
Cinta cortada
$4.66
$3.00
$2.18
$1.87
Ver
Envase tipo carrete
$1.68
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
4,266Se espera el 16/11/2026
Cinta cortada
$3.96
$2.01
$1.82
$1.50
$1.45
Envase tipo carrete
$1.41
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 101 A 5 mOhms 20 V 3.8 V 35 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
10,000Se espera el 12/11/2026
Cinta cortada
$3.72
$1.90
$1.69
$1.40
Ver
Envase tipo carrete
$1.22
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 6.5 mOhms 20 V 3.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
3,989Se espera el 5/11/2026
Cinta cortada
$4.44
$2.91
$2.17
$1.81
Ver
Envase tipo carrete
$1.58
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 144 A 3.3 mOhms 20 V 2.2 V 53 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IPP023N08N5XKSA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
500Se espera el 30/10/2026
$6.10
$3.20
$2.92
$2.41
$2.34
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.3 mOhms 20 V 3.8 V 133 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Envase tipo carrete
$1.42
Min.: 6,000
Mult.: 6,000
: 6,000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 16 A 5 mOhms 20 V 3.8 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel