Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

IXFT170N25X3HV
IXYS
1: $24.57
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IXFT170N25X3HV

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747-IXFT170N25X3HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

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$24.57

$16.95

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

170 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

IXFA10N80P
IXYS
1: $6.59
8,813En existencias

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IXFA10N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA10N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

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$6.59

$3.49

$3.03

$2.81

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IXFX64N60P
IXYS
1: $27.91
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IXFX64N60P

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747-IXFX64N60P

IXYS

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$18.37

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

64 A

96 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFK64N60P3
IXYS
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IXFK64N60P3

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747-IXFK64N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET

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$21.54

$13.83

$13.22

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Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

600 V

64 A

95 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

1.13 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS

IXFP72N20X3
IXYS
1: $11.38
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IXFP72N20X3

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747-IXFP72N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS

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$11.38

$6.36

$5.86

$5.79

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

72 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFK150N30P3
IXYS
1: $27.40
1,488En existencias

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IXFK150N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK150N30P3

IXYS

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$27.40

$17.69

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Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

300 V

150 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

197 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFH20N85X
IXYS
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287En existencias

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IXFH20N85X

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747-IXFH20N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

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$13.02

$7.22

$6.81

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

850 V

20 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

IXFH6N120P
IXYS
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187En existencias

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IXFH6N120P

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747-IXFH6N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

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$14.62

$8.89

$8.02

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2.75 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 74 Amps 200V 0.034 Rds

IXFH74N20P
IXYS
1: $8.84
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IXFH74N20P

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747-IXFH74N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 74 Amps 200V 0.034 Rds

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$8.84

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$5.22

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

74 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFH94N30P3
IXYS
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276En existencias

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IXFH94N30P3

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747-IXFH94N30P3

IXYS

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$10.41

$9.68

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

94 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V

IXFK26N120P
IXYS
1: $44.31
246En existencias

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IXFK26N120P

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$44.31

$32.76

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Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

255 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1000V 0.32 Rds

IXFK32N100P
IXYS
1: $30.42
295En existencias

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IXFK32N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK32N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1000V 0.32 Rds

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295En existencias

$30.42

$20.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

320 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

225 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFK50N85X
IXYS
1: $23.04
314En existencias

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IXFK50N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK50N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

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$23.04

$14.87

$14.40

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Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

850 V

50 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

152 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 64A

IXFK64N50P
IXYS
1: $22.50
367En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK64N50P

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747-IXFK64N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 64A

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$22.50

$15.67

$13.43

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Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

64 A

85 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds

IXFK88N30P
IXYS
1: $19.46
162En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK88N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK88N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds

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$19.46

$13.55

$11.92

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Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

300 V

88 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

600 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

IXFP22N65X2
IXYS
1: $7.57
729En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP22N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP22N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

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729En existencias

$7.57

$4.06

$3.52

$3.38

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.50 Rds

IXFP3N120
IXYS
1: $11.63
415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP3N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.50 Rds

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415En existencias

$11.63

$6.74

$6.00

$5.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

5 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 250V 240A N-CH X3CLASS

IXFX240N25X3
IXYS
1: $37.83
226En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX240N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX240N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 250V 240A N-CH X3CLASS

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226En existencias

$37.83

$28.24

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-PLUS-3

N-Channel

1 Channel

250 V

240 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

345 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFX64N60P3
IXYS
1: $16.85
257En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX64N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET

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257En existencias

$16.85

$10.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

64 A

95 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

1.13 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFX78N50P3
IXYS
1: $19.32
150En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX78N50P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX78N50P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET

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150En existencias

$19.32

$13.41

$11.35

$10.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

78 A

68 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

147 nC

- 55 C

+ 150 C

1.13 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160 Amps 100V 6.9 Rds

IXTH160N10T
IXYS
1: $9.64
366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH160N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH160N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160 Amps 100V 6.9 Rds

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366En existencias

$9.64

$5.72

$4.83

$4.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

160 A

5.8 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

132 nC

- 55 C

+ 175 C

430 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET

IXTP60N20X4
IXYS
1: $13.40
268En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP60N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP60N20X4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET

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268En existencias

$13.40

$7.61

$7.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

60 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

X4-Class

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-264 Power MOSFET

IXFK32N100X
IXYS
1: $30.24
131En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK32N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK32N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-264 Power MOSFET

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131En existencias

$30.24

$22.39

$19.61

$18.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET

IXFX52N100X
IXYS
1: $41.87
94En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX52N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX52N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET

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Hoja de datos

94En existencias

$41.87

$33.09

$25.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-PLUS-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

52 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

245 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

IXFT94N30T
IXYS
1: $26.09
99En existencias
300Se espera el 29/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFT94N30T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT94N30T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

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99En existencias

300Se espera el 29/12/2026

$26.09

$20.89

$18.06

$16.36

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

94 A

36 mOhms

HiPerFET

Tube

HiPerFET™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMPD-24
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-PLUS-3
TO-251-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-263-7
TO-263AA-3
TO-264-3
TO-268-3
TO-3P

36 V
40 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V
300 V
500 V
600 V

2 A
2.1 A
2.3 A
3 A
3.5 A
4 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
9.5 A
10 A
10.5 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
18 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
4 mOhms
4.1 mOhms

4.3 nC
7 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17 nC
17.7 nC
18.5 nC
21 nC
22 nC
25.5 nC
26 nC
27 nC
27.4 nC
29 nC
30 nC
32 nC
33 nC
33.4 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
30 W
32 W
33 W
34 W
36 W
37 W
40 W
42 W
43 W
50 W
55 W
58 W