HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Hoja de datos
945En existencias
3,510En pedido
$26.10
$18.40
$16.94
$16.77
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
Hoja de datos
8,564En existencias
$6.59
$3.49
$3.09
$2.77
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 1.1 Ohms 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
Hoja de datos
602En existencias
$36.49
$27.93
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 240 A 4.1 mOhms 20 V 2.5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Hoja de datos
1,488En existencias
$27.40
$17.72
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 150V 400A N-CH 4CLASS
Hoja de datos
1,457En existencias
$69.56
$56.28
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 400 A 3.1 mOhms 20 V 4.5 V 430 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
3,498En existencias
$11.38
$6.36
$5.86
$5.71
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Hoja de datos
144En existencias
$31.97
$25.59
$22.12
$20.47
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 40 V 600 A 1.5 mOhms 20 V 1.5 V 590 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
Hoja de datos
482En existencias
30Se espera el 30/12/2026
$22.92
$16.93
$14.80
$13.69
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 75 V 400 A 2.3 mOhms 20 V 2 V 420 nC - 55 C + 175 C 1 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET
Hoja de datos
94En existencias
$41.72
$35.59
$29.40
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 52 A 125 mOhms 30 V 3.5 V 245 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A
Hoja de datos
230En existencias
$19.15
$12.15
$10.13
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 70 A 40 mOhms 30 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V
Hoja de datos
788En existencias
$6.12
$3.22
$2.93
$2.52
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 4 A 3.3 Ohms 20 V 6 V 26 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 140A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
191En existencias
$19.36
$13.44
$10.61
$10.29
$10.24
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 9.6 mOhms 20 V 2.5 V 127 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180A 250V
Hoja de datos
257En existencias
$19.37
$15.18
$15.05
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 180 A 12.9 mOhms 20 V 5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.39 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
340En existencias
$11.63
$6.74
$5.91
$5.71
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 56 A 27 mOhms 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A
Hoja de datos
1,398En existencias
$15.16
$8.54
$8.30
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 36 A 170 mOhms 30 V 5 V 93 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A
Hoja de datos
300En existencias
$16.54
$9.40
$9.29
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms 30 V - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
Hoja de datos
1,135En existencias
$27.91
$18.13
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms 30 V 5 V 200 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
Hoja de datos
700En existencias
$39.66
$28.61
$27.36
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 65 mOhms 30 V 6.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
886En existencias
$17.84
$10.24
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 12 mOhms 20 V 2.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Hoja de datos
526En existencias
$16.40
$9.32
$9.19
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18 A 600 mOhms 30 V 6 V 97 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 42A 0.185Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
200En existencias
$13.86
$9.43
$7.66
$7.54
$7.36
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 185 mOhms 30 V 5 V 78 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A
Hoja de datos
168En existencias
$26.40
$20.58
$18.61
$18.60
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 65 mOhms 30 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 26A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
4,031En existencias
$6.89
$3.67
$3.35
$2.98
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 26 A 66 mOhms 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds
Hoja de datos
244En existencias
$13.24
$7.35
$6.96
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 520 mOhms 30 V 5 V 86 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds
Hoja de datos
284En existencias
$20.54
$12.28
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 18 mOhms 20 V 2.5 V 240 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube