HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Resultados: 719
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Hoja de datos
1,488En existencias
$27.40
$17.95
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 150V 400A N-CH 4CLASS
Hoja de datos
1,457En existencias
$69.56
$57.02
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 400 A 3.1 mOhms 20 V 4.5 V 430 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
3,498En existencias
$11.38
$6.36
$5.86
$5.79
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
Hoja de datos
8,779En existencias
$6.59
$3.49
$3.09
$2.77
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 1.1 Ohms 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
Hoja de datos
602En existencias
$36.49
$28.29
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 240 A 4.1 mOhms 20 V 2.5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
Hoja de datos
1,135En existencias
$27.91
$18.37
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms 30 V 5 V 200 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Hoja de datos
945En existencias
3,510En pedido
$26.10
$18.40
$16.94
$16.77
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds
Hoja de datos
244En existencias
$13.24
$7.35
$7.05
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 520 mOhms 30 V 5 V 86 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds
Hoja de datos
284En existencias
$20.54
$12.44
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 18 mOhms 20 V 2.5 V 240 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds
Hoja de datos
470En existencias
$20.36
$14.35
$11.79
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Hoja de datos
149En existencias
$22.35
$13.85
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 27 mOhms 20 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
Hoja de datos
507En existencias
$27.91
$18.37
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 140 A 24 mOhms 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds
Hoja de datos
1,264En existencias
$10.13
$5.47
$5.04
$4.97
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
218En existencias
$24.46
$15.54
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
201En existencias
$28.59
$19.86
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 23 mOhms 30 V 3 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
886En existencias
$17.84
$10.38
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 12 mOhms 20 V 2.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Hoja de datos
526En existencias
$16.40
$9.32
$9.31
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18 A 600 mOhms 30 V 6 V 97 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 42A 0.185Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
200En existencias
$13.86
$9.43
$7.66
$7.54
$7.45
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 185 mOhms 30 V 5 V 78 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A
Hoja de datos
168En existencias
$26.40
$20.58
$18.84
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 65 mOhms 30 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET
Hoja de datos
499En existencias
$14.15
$8.08
$7.69
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 120A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
407En existencias
$28.87
$20.06
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 23 mOhms 30 V 3 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
Hoja de datos
348En existencias
$20.28
$13.43
$13.31
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 1.05 Ohms 30 V 6.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
Hoja de datos
1,248En existencias
$15.14
$8.53
$8.39
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 340 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 300 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET
Hoja de datos
293En existencias
$14.68
$8.25
$8.07
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 86 A 43 mOhms 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
472En existencias
$7.57
$4.06
$3.72
$3.34
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms 30 V 5 V 38 nC 500 W HiPerFET Tube