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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
- DN2625DK6-G
- Microchip Technology
-
1:
$2.80
-
20,063En existencias
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N.º de artículo de Mouser
689-DN2625DK6-G
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Microchip Technology
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
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20,063En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
- MBR1060DC-AU_R2_006A1
- Panjit
-
1:
$1.18
-
6,227En existencias
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N.º de artículo de Mouser
241-MBR1060DCAUR26A1
|
Panjit
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
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6,227En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
800
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
- NVMFD5877NLWFT1G-UM
- onsemi
-
1:
$1.90
-
976En existencias
-
1,500Se espera el 5/1/2027
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
863-FD5877NLWFT1G-UM
Nuevo producto
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onsemi
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
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976En existencias
1,500Se espera el 5/1/2027
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
:
1,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
- SI4948BEY-T1-E3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.81
-
68,534En existencias
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N.º de artículo de Mouser
781-SI4948BEY-T1-E3
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Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
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68,534En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
- DD600N16KXPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$367.42
-
5En existencias
-
22En pedido
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N.º de artículo de Mouser
726-DD600N16KXPSA1
|
Infineon Technologies
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Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
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5En existencias
22En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
- FDMS3669S
- onsemi
-
1:
$2.77
-
42,665En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDMS3669S
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onsemi
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
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42,665En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
- BAV199T-7-F
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.34
-
319,572En existencias
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N.º de artículo de Mouser
621-BAV199T-F
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Diodes Incorporated
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
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319,572En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
- SQ1539EH-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$0.87
-
117,505En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-SQ1539EH-T1_GE3
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Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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117,505En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
- SQ3985EV-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$1.20
-
110,203En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ3985EV-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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110,203En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
- SQ4949EY-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.50
-
31,275En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ4949EY-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
|
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31,275En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
- SQJ960EP-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.11
-
77,257En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ960EP-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
|
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77,257En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, AIN GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
- CAB008A12GM3T
- Wolfspeed
-
1:
$211.16
-
13En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-CAB008A12GM3T
|
Wolfspeed
|
Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, AIN GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
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|
13En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
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Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 11mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
- CAB011M12FM3T
- Wolfspeed
-
1:
$125.26
-
29En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-CAB011M12FM3T
|
Wolfspeed
|
Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 11mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
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|
29En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
- BSL308CH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.07
-
67,485En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSL308CH6327XTSA
|
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
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67,485En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 80V, 15mOhms, SOT-1205-8 Standard Level MOSFET
- BUK7K15-80EX
- Nexperia
-
1:
$2.31
-
29,746En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-BUK7K15-80EX
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 80V, 15mOhms, SOT-1205-8 Standard Level MOSFET
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29,746En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
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Transistores digitales PIMC31/SOT457/SC-74
- PIMC31,115
- Nexperia
-
1:
$0.52
-
203,301En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PIMC31115
|
Nexperia
|
Transistores digitales PIMC31/SOT457/SC-74
|
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203,301En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
- SQ1912AEEH-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$0.87
-
128,649En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912AEEH-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
|
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128,649En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
- SQ1912EH-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$0.78
-
180,980En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912EH-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
|
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180,980En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$0.78
-
127,402En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1922AEEH-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
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127,402En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
- SQ3989EV-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.02
-
166,977En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ3989EV-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
|
|
166,977En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
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Rectificadores 600V 30A TO-220 HexFred
- VS-HFA30TA60C-M3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$6.57
-
8,167En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-VS-HFA30TA60C-M3
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores 600V 30A TO-220 HexFred
|
|
8,167En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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Rectificadores 200 Volt 6.0 Amp
- VS-MURD620CTTR-M3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.64
-
37,112En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
844-MURD620CTTR-M3
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores 200 Volt 6.0 Amp
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|
37,112En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN
- EFC3J018NUZTDG
- onsemi
-
1:
$1.92
-
97,615En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-EFC3J018NUZTDG
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN
|
|
97,615En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000
:
5,000
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH
- NVTJD4001NT1G
- onsemi
-
1:
$0.52
-
924,318En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NVTJD4001NT1G
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH
|
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924,318En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
- HP8KE6TB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.44
-
4,860En existencias
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N.º de artículo de Mouser
755-HP8KE6TB1
|
ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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4,860En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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