Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.35
59,446 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ075N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
59,446 En existencias
1
$2.35
10
$1.49
100
$0.917
500
$0.805
5,000
$0.768
10,000
Ver
1,000
$0.769
10,000
$0.75
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
40 A
8.5 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A
BSC030N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.84
8,850 En existencias
49,500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A
8,850 En existencias
49,500 En pedido
Ver fechas
Existencias:
8,850 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
14,500 Se espera el 27/7/2026
35,000 Se espera el 22/4/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$2.84
10
$1.83
100
$1.26
500
$1.09
5,000
$0.918
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
100 A
4.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
61 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC054N04NS G
Infineon Technologies
1:
$1.51
121,158 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC054N04NSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
121,158 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.51
10
$0.928
100
$0.611
500
$0.48
5,000
$0.321
10,000
Ver
1,000
$0.411
2,500
$0.379
10,000
$0.318
25,000
$0.31
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
81 A
5.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB090N06N3 G
Infineon Technologies
1:
$2.02
3,524 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB090N06N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
3,524 En existencias
1
$2.02
10
$1.29
100
$0.849
500
$0.673
1,000
$0.578
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
50 A
9 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
36 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB027N10N3 G
Infineon Technologies
1:
$6.10
4,861 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
4,861 En existencias
Embalaje alternativo
1
$6.10
10
$4.00
100
$2.95
500
$2.62
1,000
$2.34
2,000
$2.33
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
120 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
206 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC360N15NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.85
4,866 En existencias
5,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSC360N15NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
4,866 En existencias
5,000 En pedido
1
$2.85
10
$1.83
100
$1.24
500
$1.05
1,000
Ver
5,000
$0.842
1,000
$0.937
2,500
$0.886
5,000
$0.842
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
150 V
33 A
36 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
74 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC0902NSI
Infineon Technologies
1:
$1.27
7,936 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0902NSI
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
7,936 En existencias
1
$1.27
10
$0.72
100
$0.514
500
$0.427
5,000
$0.314
10,000
Ver
1,000
$0.368
2,500
$0.356
10,000
$0.308
25,000
$0.271
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
16.2 nC
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
IRFS7534TRLPBF
Infineon Technologies
1:
$4.92
1,238 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7534TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
1,238 En existencias
1
$4.92
10
$3.22
100
$2.40
500
$2.01
800
$1.86
2,400
Ver
2,400
$1.75
4,800
$1.74
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
195 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
186 nC
- 55 C
+ 175 C
294 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC042NE7NS3 G
Infineon Technologies
1:
$3.47
3,510 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC042NE7NS3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
3,510 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.47
10
$2.25
100
$1.56
500
$1.30
5,000
$1.13
10,000
Ver
1,000
$1.21
2,500
$1.14
10,000
$1.12
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
75 V
100 A
3.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
69 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ440N10NS3 G
Infineon Technologies
1:
$1.40
75,788 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ440N10NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
75,788 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.40
10
$0.864
100
$0.569
500
$0.447
5,000
$0.307
10,000
Ver
1,000
$0.382
2,500
$0.347
10,000
$0.296
25,000
$0.29
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
18 A
38 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
9.1 nC
- 55 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
ISC015N04NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.93
8,212 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-ISC015N04NM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
8,212 En existencias
1
$1.93
10
$1.21
100
$0.794
500
$0.63
5,000
$0.491
10,000
Ver
1,000
$0.56
2,500
$0.512
10,000
$0.43
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
206 A
1.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
1:
$2.30
5,900 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
5,900 En existencias
1
$2.30
10
$1.45
100
$0.95
500
$0.754
1,000
Ver
5,000
$0.567
1,000
$0.67
2,500
$0.612
5,000
$0.567
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
153 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
39 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
BSZ084N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.25
10,646 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ084N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
10,646 En existencias
1
$2.25
10
$1.43
100
$0.961
500
$0.779
1,000
Ver
5,000
$0.619
1,000
$0.698
2,500
$0.652
5,000
$0.619
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
40 A
11.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB025N08N3 G
Infineon Technologies
1:
$4.60
5,515 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IPB025N08N3G
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
5,515 En existencias
1
$4.60
10
$3.45
100
$2.83
500
$2.58
1,000
$2.25
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
80 V
120 A
2.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
206 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB020NE7N3 G
Infineon Technologies
1:
$7.24
1,954 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IPB020NE7N3GXT
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1,954 En existencias
1
$7.24
10
$4.74
100
$3.50
500
$3.10
1,000
$2.75
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
75 V
120 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
155 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
IRFB7540PBF
Infineon Technologies
1:
$2.23
6,753 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7540PBF
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
6,753 En existencias
1
$2.23
10
$0.905
100
$0.792
500
$0.687
1,000
Ver
1,000
$0.581
2,000
$0.575
5,000
$0.571
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
110 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
88 nC
- 55 C
+ 175 C
160 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2
IPB107N20NAXT
Infineon Technologies
1:
$10.58
3,837 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20NAATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2
3,837 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
200 V
88 A
9.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
87 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
BSC030N03MS G
Infineon Technologies
1:
$1.71
5,000 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N03MSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
5,000 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.71
10
$1.06
100
$0.694
500
$0.546
5,000
$0.374
10,000
Ver
1,000
$0.467
2,500
$0.423
10,000
$0.362
25,000
$0.355
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
2.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
73 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC118N10NS G
Infineon Technologies
1:
$2.46
4,302 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC118N10NSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
4,302 En existencias
1
$2.46
10
$1.58
100
$1.07
500
$0.914
5,000
$0.73
10,000
Ver
1,000
$0.809
2,500
$0.766
10,000
$0.729
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
11 A
11.8 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
114 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC076N06NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.05
3,368 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC076N06NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
3,368 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.05
10
$1.29
100
$0.845
500
$0.67
5,000
$0.523
10,000
Ver
1,000
$0.596
2,500
$0.544
10,000
$0.511
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
50 A
6.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB037N06N3 G
Infineon Technologies
1:
$3.45
839 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB037N06N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
839 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.45
10
$2.23
100
$1.54
500
$1.29
1,000
$1.18
2,000
Ver
2,000
$1.12
5,000
$1.11
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
90 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
98 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
IRFH8318TRPBF
Infineon Technologies
1:
$1.33
4,180 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRFH8318TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
4,180 En existencias
1
$1.33
10
$0.571
100
$0.43
500
$0.372
4,000
$0.321
8,000
Ver
1,000
$0.349
8,000
$0.28
24,000
$0.275
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4,000
Detalles
Si
SMD/SMT
PQFN-8
N-Channel
1 Channel
30 V
120 A
4.6 mOhms
- 20 V, 20 V
1.8 V
41 nC
- 55 C
+ 150 C
3.6 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC
IRFH8324TRPBF
Infineon Technologies
1:
$1.13
3,335 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
942-IRFH8324TRPBF
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC
3,335 En existencias
1
$1.13
10
$0.696
100
$0.458
500
$0.36
1,000
Ver
4,000
$0.234
1,000
$0.316
2,000
$0.281
4,000
$0.234
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4,000
Detalles
Si
SMD/SMT
PQFN-8
N-Channel
1 Channel
30 V
90 A
6.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1.8 V
31 nC
- 55 C
+ 150 C
54 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
IRFS3306TRLPBF
Infineon Technologies
1:
$3.17
897 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3306TRLPBF
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
897 En existencias
1
$3.17
10
$2.06
100
$1.42
500
$1.30
800
$1.09
2,400
$1.03
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
160 A
3.3 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
85 nC
- 55 C
+ 175 C
230 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC265N10LSF G
Infineon Technologies
1:
$1.92
2,155 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC265N10LSFG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
2,155 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.92
10
$1.19
100
$0.779
500
$0.613
1,000
Ver
5,000
$0.456
1,000
$0.524
2,500
$0.475
5,000
$0.456
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
40 A
20 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
21 nC
- 55 C
+ 150 C
78 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel