Small Signal Automotive MOSFETs

Nexperia Small-Signal Automotive MOSFETs offer performance reliability with full AEC-Q101 compliance. Nexperia offers a broad portfolio of Small-Signal MOSFETs, with drain-source on-state resistance as low as 15mΩ, up to 6A maximum drain current, and drain-source voltage options from 20V to 100V. These Nexperia devices are offered in various package types for design flexibility, with leaded and leadless DFN options. 

Resultados: 100
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB27EP/SOT1220/SOT1220 2,990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 30 V 8.8 A 29 mOhms 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK4D16-20/SOT1220/SOT1220 86,524En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 26 A 16 mOhms 12 V 1.3 V 15 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV88ENEA/SOT23/TO-236AB 1,725En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.2 A 117 mOhms 20 V 1.3 V 4 nC - 55 C + 175 C 1.26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB95ENEA/SOT1220/SOT1220 400En existencias
2,129Se espera el 13/9/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 4.1 A 80 mOhms 20 V 1.3 V 14.9 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB55XNEA/SOT1220/SOT1220 65En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 3.8 A 72 mOhms 12 V 750 mV 5 nC - 55 C + 175 C 1.95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK4D60-30/SOT1220/SOT1220 8,450En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.3 A 60 mOhms 12 V 1.25 V 5 nC - 55 C + 175 C 7.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB85ENEA/SOT1220/SOT1220 8,766En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.4 A 72 mOhms 20 V 1.3 V 9.2 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK4D16-20/SOT1220/SOT1220 2,767En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 26 A 14 mOhms 12 V 1.3 V 9.8 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB50XN/SOT1220-2/SOT1220 1,380En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020M-6 N-Channel 1 Channel 110 V 9.9 A 70 mOhms 12 V 1.4 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSH205G2A/SOT23/TO-236AB 147,917En existencias
3,000Se espera el 21/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.6 A 118 mOhms 8 V 900 mV 4.6 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220 16,972En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 60 V 8 A 120 mOhms 20 V 3.2 V 2.6 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV280ENEA/SOT23/TO-236AB 36,636En existencias
93,000Se espera el 5/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 1.1 A 385 mOhms 20 V 1.3 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 1.14 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK4D110-20P/SOT1220/SOT1220 1,256En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6.7 A 110 mOhms 12 V 1.3 V 5 nC - 55 C + 175 C 7.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK4D38-20P/SOT1220/SOT1220 104En existencias
6,000Se espera el 15/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 18 A 33 mOhms 12 V 1.3 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D120-40E/SOT1220/SOT1220 12,000En existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 40 V 5.7 A 120 mOhms 20 V 2.5 V 2.4 nC - 55 C + 175 C 7.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D210-60E/SOT1220/SOT1220 14,661En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 5.7 A 210 mOhms 20 V 1.3 V 3.8 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D22-30E/SOT1220/SOT1220 2,737En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 22 A 22 mOhms 20 V 1 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D230-80E/SOT1220/SOT1220 1,317En existencias
6,000Se espera el 21/6/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 5.1 A 230 mOhms 20 V 1.3 V 4.8 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D385-100E/SOT1220/SOT1220 8,725En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.7 A 385 mOhms 20 V 1.3 V 6.8 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D56-60E/SOT1220/SOT1220 89En existencias
9,000Se espera el 13/9/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 60 V 11 A 56 mOhms 20 V 1.3 V 7.5 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D72-30E/SOT1220/SOT1220 3,376En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 11 A 72 mOhms 20 V 1 V 3.3 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D77-60E/SOT1220/SOT1220 173En existencias
3,000Se espera el 13/9/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 10.6 A 77 mOhms 20 V 1.3 V 9.2 nC - 55 C + 175 C 18.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D81-80E/SOT1220/SOT1220 193En existencias
3,000Se espera el 5/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 9.8 A 81 mOhms 20 V 1.3 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 18.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7D36-60E/SOT1220/SOT1220 4,986En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 60 V 14 A 36 mOhms 20 V 4 V 9 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9D23-40E/SOT1220/SOT1220 1,155En existencias
9,000Se espera el 5/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 23 mOhms 15 V 1.4 V 17 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel