Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 70A 410W MOSVII 160nC .0029
TK70J20D,S1Q
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757-TK70J20DS1Q
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 70A 410W MOSVII 160nC .0029
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MOSVII
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51
TK3A65DA(STA4,QM)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51
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MOSVII
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm
TK3P50D,RQ(S
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757-TK3P50DRQS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm
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MOSVII
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm
TK5P50D(T6RSS-Q)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm
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MOSVII
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72
TK10A50D(STA4,Q,M)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72
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MOSVII
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029
TK11A45D(STA4,Q,M)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029
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MOSVII
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.55
TK12A60D(STA4,Q,M)
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757-TK12A60DSTA4QM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.55
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MOSVII
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1550pF 0.47
TK13A50DA(STA4,Q,M
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757-TK13A50DASTA4QM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1550pF 0.47
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TO-220-3
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MOSVII
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1800pF 0.40
TK13A50D(STA4,Q,M)
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757-TK13A50DSTA4QM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1800pF 0.40
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TO-220FP-3
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MOSVII
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 250V 102W 1100pF 0.25
TK13E25D,S1X(S
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 250V 102W 1100pF 0.25
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TO-220-3
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Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ
TK13P25D,RQ
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4,000 Se espera el 26/3/2027
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757-TK13P25DRQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ
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4,000 Se espera el 26/3/2027
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
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MOSVII
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
TK18A30D,S5X
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757-TK18A30DS5X
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
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TO-220-3
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MOSVII
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27
TK18A50D(STA4,Q,M)
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150 Se espera el 18/12/2026
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757-TK18A50DSTA4QM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27
2 En existencias
150 Se espera el 18/12/2026
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
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MOSVII
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25
TK19A45D(STA4,Q,M)
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53 En existencias
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757-TK19A45DSTA4QM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25
53 En existencias
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Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
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50 W
MOSVII
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26
TK2A65D(STA4,Q,M)
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191 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK2A65DSTA4QM
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26
191 En existencias
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
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2 A
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- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
MOSVII
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm
TK3A60DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1:
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39 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK3A60DASTA4QM
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm
39 En existencias
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Mult.: 1
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
2.5 A
2.8 Ohms
30 V
2.4 V
9 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
MOSVII
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm
TK3A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
1:
$2.30
134 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK3A65DSTA4QM
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm
134 En existencias
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Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
3 A
2.25 Ohms
30 V
2.4 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
MOSVII
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm
TK4A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1:
$1.41
267 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK4A50DSTA4QM
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm
267 En existencias
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
500 V
4 A
2 Ohms
30 W
MOSVII
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm
TK4P60DB(T6RSS-Q)
Toshiba
1:
$1.94
55 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK4P60DBT6RSS-Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm
55 En existencias
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2,000
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
3.7 A
2 Ohms
30 V
4.4 V
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+ 150 C
80 W
Enhancement
MOSVII
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(OS) MOQ=2000 V=600 PD=80W F=1MHZ
TK4P60D,RQ
Toshiba
1:
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1,354 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK4P60DRQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(OS) MOQ=2000 V=600 PD=80W F=1MHZ
1,354 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
4 A
1.7 Ohms
30 V
2.4 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
100 W
Enhancement
MOSVII
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm
TK5A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1:
$2.07
250 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK5A55DSTA4QM
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm
250 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
550 V
5 A
1.7 Ohms
35 W
MOSVII
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm
TK5A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
1:
$2.51
164 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK5A65DSTA4QM
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm
164 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
5 A
1.43 Ohms
30 V
2 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
MOSVII
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5A N-CH MOSFET
TK5A80E,S4X
Toshiba
1:
$1.66
147 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK5A80ES4X
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5A N-CH MOSFET
147 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220SIS-3
N-Channel
1 Channel
800 V
5 A
2.4 Ohms
30 V
2.5 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
MOSVII
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
TK6A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
1:
$2.86
337 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK6A65DSTA4QM
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
337 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
6 A
1.11 Ohms
30 V
2 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MOSVII
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 500V 35W 600pF 1.22
TK7A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1:
$2.18
5 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK7A50DSTA4QM
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 500V 35W 600pF 1.22
5 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
7 A
1 Ohms
30 V
4.4 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
MOSVII
Tube