Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK6P65W,RQ
Toshiba
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TK6P65W,RQ

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757-TK6P65WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

650 V

5.8 A

890 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK8P60W5,RVQ
Toshiba
1: $2.38
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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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$2.38

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Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

440 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

22 nC

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+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W

TK12A80W,S4X
Toshiba
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TK12A80W,S4X

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757-TK12A80WS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W

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$4.90

$2.70

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11.5 A

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- 20 V, 20 V

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45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

TK16G60W5,RVQ
Toshiba
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Toshiba

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

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230 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF

TK31N60W,S1VF
Toshiba
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TK31N60W,S1VF

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF

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$6.70

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N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

73 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

86 nC

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+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

TK35N65W,S1F
Toshiba
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TK35N65W,S1F

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

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- 30 V, 30 V

3.5 V

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Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS

TK14A65W5,S5X
Toshiba
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TK14A65W5,S5X

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40 W

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DTMOSIV

Tube

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TK17N65W,S1F
Toshiba
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TK17N65W,S1F

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Toshiba

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TO-247-3

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650 V

17.3 A

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Enhancement

DTMOSIV

Tube

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TK8A60W5,S5VX
Toshiba
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TK8A60W5,S5VX

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

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- 30 V, 30 V

3 V

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30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ

TK8P65W,RQ
Toshiba
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TK8P65W,RQ

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757-TK8P65WRQ

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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7.8 A

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80 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

TK7A80W,S4X
Toshiba
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TK7A80W,S4X

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757-TK7A80WS4X

Toshiba

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TO-220-3

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800 V

6.5 A

950 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8x8-OS PD=139W F=1MHZ

TK16V60W5,LVQ
Toshiba
1: $4.31
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TK16V60W5,LVQ

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757-TK16V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8x8-OS PD=139W F=1MHZ

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SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

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- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS TO-247 PD=211W F=1MHZ

TK080N60Z1,S1F
Toshiba
1: $7.57
149En existencias
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TK080N60Z1,S1F

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757-TK080N60Z1S1F

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Toshiba

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$4.83

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

43 nC

+ 150 C

211 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK39N60W5,S1VF
Toshiba
1: $9.39
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1,200Se espera el 3/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK39N60W5,S1VF

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757-TK39N60W5S1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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1,200Se espera el 3/8/2026

$9.39

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38.8 A

62 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

135 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=297W F=1MHZ

TK040N60Z1,S1F
Toshiba
1: $13.96
107En existencias
270Se espera el 2/12/2026
Nuevo producto

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TK040N60Z1,S1F

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757-TK040N60Z1S1F

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=297W F=1MHZ

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270Se espera el 2/12/2026

$13.96

$9.78

$8.51

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Mult.: 1

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TO-247-3

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1 Channel

600 V

20 A

40 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

85 nC

+ 150 C

297 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS TO-247 PD=150W F=1MHZ

TK125N60Z1,S1F
Toshiba
1: $6.08
135En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TK125N60Z1,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK125N60Z1S1F

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS TO-247 PD=150W F=1MHZ

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135En existencias

$6.08

$3.60

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Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

28 nC

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

TK31V60W5,LVQ
Toshiba
1: $7.04
2,281En existencias
5,000Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK31V60W5,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK31V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

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$7.04

$4.75

$4.44

Envase tipo carrete

$4.44

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Mult.: 1

: 2,500

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DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

87 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

105 nC

+ 150 C

240 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

TK6P60W,RVQ
Toshiba
1: $2.09
4,513En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK6P60W,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK6P60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

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4,513En existencias

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$2.09

$1.34

$0.90

$0.855

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$0.855

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

820 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS

TK14A65W,S5X
Toshiba
1: $4.37
12En existencias
100Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK14A65W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK14A65WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS

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$4.37

$2.24

$2.02

$1.66

$1.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.7 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pF

TK62N60W5,S1VF
Toshiba
1: $12.02
86En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK62N60W5,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK62N60W5S1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pF

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86En existencias

$12.02

$10.30

$9.00

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Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

61.8 A

36 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

205 nC

- 55 C

+ 150 C

400 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF

TK62N60W,S1VF
Toshiba
1: $14.20
10En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK62N60W,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK62N60WS1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF

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10En existencias

$14.20

$11.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

61.8 A

33 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

400 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC

TK6A60W,S4VX
Toshiba
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128En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK6A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK6A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC

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128En existencias

$2.63

$1.29

$1.18

$0.922

$0.808

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

TK100L60W,VQ
Toshiba
1: $28.87
40En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK100L60W,VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK100L60WVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

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$28.87

$21.05

$19.16

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Through Hole

TO-3PL-3

N-Channel

1 Channel

600 V

100 A

15 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

360 nC

- 55 C

+ 150 C

797 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK10A60W5,S5VX
Toshiba
1: $3.19
207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10A60W5,S5VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A60W5S5VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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$1.59

$1.46

$1.13

$1.04

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

350 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

TK10A60W,S4VX
Toshiba
1: $3.31
45En existencias
150Se espera el 4/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK10A60W,S4VX

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757-TK10A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

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$1.20

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

327 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

DTMOSIV Series MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5.8 A
6.2 A
6.5 A
6.8 A
7 A
7.8 A
8 A
9.3 A
9.5 A
9.7 A
11.1 A
11.5 A
12 A
13.7 A
15.8 A
17 A
17.3 A
18.5 A
20 A
24 A

15 mOhms
33 mOhms
36 mOhms
40 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
68 mOhms
73 mOhms
78 mOhms
80 mOhms
82 mOhms
87 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
125 mOhms
130 mOhms

11 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
25 nC
28 nC
30 nC
32 nC
35 nC
38 nC
40 nC
43 nC
45 nC
48 nC

30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
60 W
80 W
88.3 W
100 W
104 W
110 W
130 W
139 W
150 W
156 W
165 W
180 W
190 W
211 W
230 W