Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 43

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R060CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: $8.04 3,440En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R060CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R060CFD7AUM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	3,440En existencias	Cinta cortada $8.04 $4.34 $3.99 $3.87 $3.65 Envase tipo carrete $3.65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	40 A	60 mOhms	20 V	3.5 V	79 nC	- 40 C	+ 150 C	219 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R105CFD7XTMA1 Infineon Technologies 1: $5.19 1,321En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R105CFD7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R105CFD7XTM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	1,321En existencias	Cinta cortada $5.19 $2.69 $2.45 $2.24 $2.16 Envase tipo carrete $2.03 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	105 mOhms	20 V	4 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	140 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R160CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: $4.25 2,695En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R160CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R160CFD7AUM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	2,695En existencias	Cinta cortada $4.25 $2.51 $2.05 $1.71 $1.65 Envase tipo carrete $1.55 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	160 mOhms	20 V	3.5 V	31 nC	- 40 C	+ 150 C	95 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R075CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: $7.56 518En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R075CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R075CFD7AUM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	518En existencias	Cinta cortada $7.56 $4.06 $3.72 $3.57 $3.37 Envase tipo carrete $3.37	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	33 A	66 mOhms	20 V	3.5 V	67 nC	- 40 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R070CFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.43 816En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R070CFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R070CFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	816En existencias	Cinta cortada $7.43 $3.98 $3.65 $3.48 Envase tipo carrete $3.29	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	70 mOhms	20 V	4.5 V	67 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R185CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: $3.58 3,336En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R185CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R185CFD7AUM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	3,336En existencias	Cinta cortada $3.58 $1.94 $1.61 $1.40 $1.35 Envase tipo carrete $1.35	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	14 A	153 mOhms	20 V	3.5 V	28 nC	- 40 C	+ 150 C	85 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R040CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $10.54 697En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R040CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R040CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	697En existencias	$10.54 $5.72 $5.23 $5.16	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	50 A	40 mOhms	20 V	3.5 V	109 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies 1: $7.74 2,492En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R055CFD7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R055CFD7XTM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	2,492En existencias	Cinta cortada $7.74 $4.16 $3.82 $3.67 $3.47 Envase tipo carrete $3.47 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	44 A	55 mOhms	20 V	4 V	67 nC	- 55 C	+ 150 C	236 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R075CFD7XTMA1 Infineon Technologies 1: $7.32 1,980En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R075CFD7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R075CFD7XTM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	1,980En existencias	Cinta cortada $7.32 $3.92 $3.59 $3.41 $3.22 Envase tipo carrete $3.22 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	650 V	33 A	75 mOhms	20 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	188 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $5.14 678En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R125CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R125CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	678En existencias	$5.14 $2.66 $2.42 $2.12 $1.99	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	125 mOhms	20 V	3.5 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPP60R280CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $3.38 712En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP60R280CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R280CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	712En existencias	$3.38 $1.69 $1.53 $1.23 $1.17	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	9 A	237 mOhms	20 V	3.5 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $11.91 95En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW65R029CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R029CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Hoja de datos	95En existencias	$11.91 $8.12 $7.91	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	700 V	69 A	29 mOhms	20 V	4.5 V	145 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R045CFD7XTMA1 Infineon Technologies 1: $10.28 577En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R045CFD7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R045CFD7XTM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	577En existencias	Cinta cortada $10.28 $5.69 $5.35 $5.34 $5.06 Envase tipo carrete $5.06 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	52 A	45 mOhms	20 V	4 V	79 nC	- 55 C	+ 150 C	270 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $9.18 268En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPW65R060CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R060CFD7SA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Hoja de datos	268En existencias	$9.18 $5.41 $4.56 $4.42 $4.16	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	36 A	60 mOhms	10 V	3.5 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $9.98 290En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP65R041CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP65R041CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Hoja de datos	290En existencias	$9.98 $6.82 $5.63 $5.04 $4.74	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	650 V	50 A	41 mOhms	20 V	4.5 V	102 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: $4.69 2,939En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R095CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R095CFD7AUM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	2,939En existencias	Cinta cortada $4.69 $3.09 $2.82 $2.41 Envase tipo carrete $2.41	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	95 mOhms	20 V	3.5 V	51 nC	- 40 C	+ 150 C	147 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R115CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: $5.23 420En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R115CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R115CFD7AUM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	420En existencias	Cinta cortada $5.23 $2.71 $2.47 $2.18 Envase tipo carrete $2.05	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	22 A	115 mOhms	20 V	3.5 V	42 nC	- 40 C	+ 150 C	124 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $9.66 4,378En existencias 3,000Se espera el 12/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IPB60R040CFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R040CFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	4,378En existencias 3,000Se espera el 12/11/2026	Cinta cortada $9.66 $5.41 $5.03 $4.95 Envase tipo carrete $4.69 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	50 A	40 mOhms	20 V	4 V	107 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.83 3,632En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R145CFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R145CFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	3,632En existencias	Cinta cortada $3.83 $2.05 $1.86 $1.53 Envase tipo carrete $1.44 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	145 mOhms	20 V	3.5 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R105CFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.65 1,341En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R105CFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R105CFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	1,341En existencias	Cinta cortada $5.65 $2.95 $2.69 $2.42 Envase tipo carrete $2.28	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	21 A	105 mOhms	20 V	4.5 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	106 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPD60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.48 2,404En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R170CFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R170CFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	2,404En existencias	Cinta cortada $3.48 $1.76 $1.62 $1.31 Envase tipo carrete $1.13 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	14 A	144 mOhms	20 V	3.5 V	28 nC	- 55 C	+ 150 C	76 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP60R070CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $7.40 638En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP60R070CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R070CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	638En existencias	$7.40 $3.97 $3.63 $3.27	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	57 mOhms	20 V	3.5 V	67 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP60R090CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $7.09 622En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP60R090CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R090CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	622En existencias	$7.09 $4.40 $3.99 $3.39 Ver $2.73 $2.69 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	90 mOhms	20 V	3.5 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $19.47 180En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R018CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R018CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	180En existencias	$19.47 $11.60	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	101 A	18 mOhms	20 V	3.5 V	251 nC	- 55 C	+ 150 C	416 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R024CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $15.90 480En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R024CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R024CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	480En existencias	$15.90 $9.01 $8.94	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	77 A	24 mOhms	20 V	4 V	183 nC	- 55 C	+ 150 C	320 W	Enhancement		Tube