Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V_(ds) and are 100% tested gate resistance(R_g). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55ºC to 150ºC junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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1 Channel

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TrenchFET

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2325DS-T1-E3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V

SI2333CDS-T1-E3
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SI2333CDS-T1-E3

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781-SI2333CDS-E3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V

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1 Channel

12 V

7.1 A

35 mOhms

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2343CDS-T1-GE3
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SI2343CDS-T1-GE3

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781-SI2343CDS-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

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SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

5.9 A

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2.5 W

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TrenchFET

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SI2377EDS-T1-GE3
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SI2377EDS-T1-GE3

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781-SI2377EDS-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

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$0.293

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SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.4 A

61 mOhms

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7.6 nC

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TrenchFET

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SI2342DS-T1-GE3
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SI2342DS-T1-GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs SOT-23

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SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

8 V

6 A

17 mOhms

- 5 V, 5 V

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TrenchFET

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SI2356DS-T1-GE3
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SI2356DS-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 12V Vgs SOT-23

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SOT-23-3

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1 Channel

40 V

4.3 A

51 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

3.8 nC

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+ 150 C

1.7 W

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TrenchFET

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SI2303CDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2325DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

150 V

530 mA

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

7.7 nC

- 55 C

+ 150 C

750 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2366DS-T1-GE3
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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

5.8 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2374DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

5.9 A

30 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

7.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V

SI2306BDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.16 A

47 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

750 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

530 mA
690 mA
1.15 A
1.6 A
2.17 A
2.3 A
2.6 A
2.7 A
2.9 A
3.1 A
3.16 A
3.5 A
3.6 A
3.8 A
4.3 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.2 A
5.3 A

17 mOhms
23 mOhms
26.5 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
31.8 mOhms
33 mOhms
34 mOhms
35 mOhms
36 mOhms
39 mOhms
42 mOhms
45 mOhms
47 mOhms
51 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
61 mOhms
66 mOhms

2 nC
2.7 nC
2.9 nC
3 nC
3.2 nC
3.3 nC
3.5 nC
3.8 nC
4 nC
4.1 nC
4.2 nC
6 nC
6.7 nC
6.9 nC
7 nC
7.6 nC
7.7 nC
8.8 nC
9 nC
10 nC