Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 40

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

IXTT6N120
IXYS
1: $17.34
274En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT6N120

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747-IXTT6N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

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274En existencias

$17.34

$9.91

$9.24

$8.62

Min.: 1
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SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2.6 Ohms

20 V

5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTJ4N150
IXYS
1: $15.99
248En existencias

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IXTJ4N150

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747-IXTJ4N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

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248En existencias

$15.99

$9.06

$8.36

$7.76

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

6 Ohms

30 V

5 V

44.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT

IXTT12N150HV
IXYS
1: $70.53
263En existencias

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IXTT12N150HV

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747-IXTT12N150HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT

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263En existencias

$70.53

$55.66

$48.35

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

12 A

2.2 Ohms

30 V

2.5 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1

IXFH16N120P
IXYS
1: $22.90
157En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH16N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH16N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1

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157En existencias

$22.90

$16.62

$16.11

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 A

950 mOhms

30 V

3.5 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.500 Rds

IXTH3N120
IXYS
1: $5.96
211En existencias
90Se espera el 15/12/2026

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IXTH3N120

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747-IXTH3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.500 Rds

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211En existencias

90Se espera el 15/12/2026

$5.96

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

20 V

4.5 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTH4N150
IXYS
1: $12.66
175En existencias

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IXTH4N150

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747-IXTH4N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

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175En existencias

$12.66

$9.43

$7.86

$7.00

$6.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

6 Ohms

30 V

2.5 V

44.5 nC

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+ 150 C

280 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.5 Amps 1000V

IXTP05N100M
IXYS
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300En existencias

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IXTP05N100M

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP05N100M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.5 Amps 1000V

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300En existencias

$6.01

$3.16

$2.60

$2.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

700 mA

15 Ohms

30 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds

IXTP05N100
IXYS
1: $4.66
549En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP05N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP05N100

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds

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$4.66

$2.27

$2.11

$1.78

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

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750 mA

17 Ohms

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4.5 V

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40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTA05N100HV
IXYS
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2,248En existencias

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IXTA05N100HV

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747-IXTA05N100HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

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$2.98

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D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

750 mA

17 Ohms

30 V

2.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT

IXTA3N150HV
IXYS
1: $14.19
223En existencias
300Se espera el 25/1/2027

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N150HV

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747-IXTA3N150HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT

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300Se espera el 25/1/2027

$14.19

$8.74

$8.44

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

3 A

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30 V

2.5 V

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- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id3 BVdass1200

IXTP3N120
IXYS
1: $10.75
654En existencias

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IXTP3N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id3 BVdass1200

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654En existencias

$10.75

$6.65

$6.14

$5.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V High Voltage Power MOSFET

IXTT12N150
IXYS
1: $12.91
310En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT12N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT12N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V High Voltage Power MOSFET

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310En existencias

$12.91

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

2 Ohms

30 V

4.5 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT

IXTA3N120HV
IXYS
1: $11.23
7En existencias
350Se espera el 9/2/2027

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N120HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N120HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT

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7En existencias

350Se espera el 9/2/2027

$11.23

$6.42

$5.92

$5.46

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 4A N-CH HIVOLT

IXTA4N150HV
IXYS
1: $16.21
83En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA4N150HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA4N150HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 4A N-CH HIVOLT

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83En existencias

$16.21

$9.38

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

6 Ohms

30 V

2.5 V

375 nC

- 55 C

+ 150 C

280 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTH3N150
IXYS
1: $18.56
8En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH3N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH3N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

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8En existencias

$18.56

$10.62

$10.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

3 A

7.3 Ohms

30 V

2.5 V

38.6 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

IXTH6N120
IXYS
1: $10.01
96En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH6N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH6N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

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96En existencias

$10.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2.4 Ohms

20 V

2.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.1 Amps 1000V 80 Rds

IXTY01N100
IXYS
1: $4.28
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY01N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY01N100

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.1 Amps 1000V 80 Rds

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300En existencias

$4.28

$2.17

$1.96

$1.66

$1.62

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

100 mA

80 Ohms

20 V

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds

IXTA3N120
IXYS
1: $10.26
3,062En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds

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3,062En pedido

$10.26

$6.22

$5.73

$5.57

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500 V High Voltage Power MOSFET

IXTX20N150
IXYS
1: $35.04
595En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTX20N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX20N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500 V High Voltage Power MOSFET

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Hoja de datos

595En pedido

$35.04

$24.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

20 A

1 Ohms

30 V

4.5 V

215 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) >1200V High Voltage Power MOSFET

IXTH12N150
IXYS
1: $21.71
285Se espera el 26/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTH12N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH12N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) >1200V High Voltage Power MOSFET

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Hoja de datos

285Se espera el 26/10/2026

$21.71

$14.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

12 A

2 Ohms

30 V

4.5 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds

IXTA05N100
IXYS
300: $3.16
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTA05N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA05N100

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds

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Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

$3.16

Min.: 300
Mult.: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

750 mA

17 Ohms

30 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A

IXTH6N150
IXYS
1: $16.82
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTH6N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH6N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

$16.82

$10.43

$8.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

6 A

3.5 Ohms

20 V

5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTJ6N150
IXYS
300: $11.76
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTJ6N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTJ6N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

$11.76

$11.54

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

3 A

3.85 Ohms

30 V

2.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1200V High Voltage Power MOSFET

IXTK20N150
IXYS
1: $65.68
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTK20N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK20N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1200V High Voltage Power MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

$65.68

$57.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1.5 kV

20 A

1 Ohms

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2 Amps 800V 6.2 Rds

IXTP2N80
IXYS
50: $2.75
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP2N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP2N80

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2 Amps 800V 6.2 Rds

Hoja de datos

No en existencias

$2.75

$2.04

$1.71

$1.59

$1.49

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

6.2 Ohms

20 V

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

100 mA
700 mA
750 mA
1.5 A
1.83 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
5 A
6 A
12 A
13 A
14 A
16 A
20 A
24 A
33 A
40 A
67 A

20 mOhms
25 mOhms
85 mOhms
170 mOhms
350 mOhms
400 mOhms
700 mOhms
800 mOhms
950 mOhms
1 Ohms
2 Ohms
2.2 Ohms
2.4 Ohms
2.6 Ohms
3.5 Ohms
3.85 Ohms
4.5 Ohms
6 Ohms
6.2 Ohms
7 Ohms