U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

Resultados: 43
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
277,141En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-416-3 P-Channel 1 Channel 20 V 330 mA 1.31 Ohms 8 V 300 mV 1.2 nC + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package
24,293En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2 A 93 mOhms 12 V 1 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=3.0A, RDS(ON)=0.055Ohm @ 4V, in UF6 package
2,128En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 20 V 3 A 55 mOhms 10 V 1 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL 1,725En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 530 uOhms 20 V 3 V 128 nC + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V 210,370En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 80 mA, 720 mA 240 mOhms, 300 mOhms - 8 V, 10 V 350 mV, 1 V 2 nC, 1.76 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII / U-MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 61,685En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SSM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS 77,171En existencias
16,000Se espera el 18/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52
45,350En existencias
424,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 500 mA 630 mOhms 5 V 350 mV 1.23 nC + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS 222,240En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 3.6 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 65,397En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 750 mOhms 10 V 350 mV 340 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-1.4A, RDS(ON)=0.403Ohm @ 4V
37,061En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 30 V 1.4 A 226 mOhms 20 V 2 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS 18,439En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
1,322En existencias
15,000Se espera el 7/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 500 mA 630 mOhms 10 V 350 mV 1.23 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 53,686En existencias
75,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 2.2 Ohms 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package
11,821En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 123 mOhms 10 V 1 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS 7,228En existencias
10,000Se espera el 8/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.3 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 1,269En existencias
40,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 3.6 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 15,750En existencias
15,000Se espera el 11/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 3.6 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 36,626En existencias
144,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000

Si SMD/SMT VESM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 29,884En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 5.6 Ohms 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.25A 20V 12pF 4,501En existencias
32,000Se espera el 16/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 2.2 Ohms 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-2.5A, RDS(ON)=0.145Ohm @ 4V, in UF6 package
5,625En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 30 V 2.5 A 73 mOhms 20 V 2.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET
3,965En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 66 mOhms 10 V 350 mV 16.8 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.126Ohm @ 4V, in UF6 package 63En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 126 mOhms 10 V 1 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
1,109En existencias
27,000Se espera el 2/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UF-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 1.5 A, 1.6 A 247 mOhms, 430 mOhms - 8 V, 10 V 300 mV, 350 mV 7.5 nC, 6.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel