|
|
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.20mmPwrpHEMT
- QPD2120D
- Qorvo
-
100:
$26.30
-
100En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
772-QPD2120D
|
Qorvo
|
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.20mmPwrpHEMT
|
|
100En existencias
|
|
Min.: 100
Mult.: 100
|
|
RF JFET Transistors
|
|
|
pHEMT
|
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz
- TAV1-541NM+
- Mini-Circuits
-
1:
$2.70
-
367En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
139-TAV1-541NM+
|
Mini-Circuits
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz
|
|
367En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
1.4 mm x 1.2 mm
|
|
GaAs
|
45 MHz to 6 GHz
|
20.3 dBm
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
8.9 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25SG/TO270/REEL
- BLP9LA25SGXY
- Ampleon
-
1:
$21.67
-
166En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLP9LA25SGXY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25SG/TO270/REEL
|
|
166En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
100
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
TO-270-2G-1-3
|
|
LDMOS
|
941 MHz
|
25 W
|
|
+ 225 C
|
18.8 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
- VRF151
- Microchip Technology
-
1:
$70.13
-
94En existencias
-
162Se espera el 26/4/2027
|
N.º de artículo del Fabricante
VRF151
N.º de artículo de Mouser
494-VRF151
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
|
|
94En existencias
162Se espera el 26/4/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
Screw Mount
|
|
|
Si
|
175 MHz
|
150 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
22 dB
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30G/TO270/REEL
- BLP15M9S30GXY
- Ampleon
-
1:
$27.59
-
129En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S30GXY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30G/TO270/REEL
|
|
129En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
100
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
TO-270-2G-1-3
|
|
LDMOS
|
2 GHz
|
30 W
|
|
+ 225 C
|
19 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL
- BLP15M9S70GXY
- Ampleon
-
1:
$29.32
-
500En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S70GXY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL
|
|
500En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
100
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
TO-270-2G-1-3
|
|
LDMOS
|
2 GHz
|
70 W
|
|
+ 225 C
|
19.3 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTORS
- BFR840L3RHESDE6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.82
-
28,035En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-BFR840L3RHESDE63
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTORS
|
|
28,035En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
15,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
TSLP-3
|
Bipolar
|
SiGe
|
75 GHz
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
- BFP 740F H6327
- Infineon Technologies
-
1:
$1.20
-
8,532En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-BFP740FH6327
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
|
|
8,532En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
TSFP-4
|
Bipolar
|
SiGe
|
42 GHz
|
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
|
AEC-Q100
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTORS
- BFP843H6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.52
-
8,202En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-BFP843H6327XTSA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTORS
|
|
8,202En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
SOT-343-4
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
Microchip Technology ARF468AG
- ARF468AG
- Microchip Technology
-
1:
$64.89
-
28En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF468AG
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
|
|
28En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
Microchip Technology ARF465AG
- ARF465AG
- Microchip Technology
-
1:
$61.82
-
273En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF465AG
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
|
|
273En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
Through Hole
|
|
|
Si
|
60 MHz
|
150 W
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
13 dB
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor, 150W, 30MHz,28V,Matched_pair
MACOM MRF422MP
- MRF422MP
- MACOM
-
1:
$609.50
-
20En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
937-MRF422MP
|
MACOM
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor, 150W, 30MHz,28V,Matched_pair
|
|
20En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) BIP N+N 150MA 8V FT=16G
- MCH6001-TL-E
- onsemi
-
1:
$0.52
-
6,333En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-MCH6001-TL-E
|
onsemi
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) BIP N+N 150MA 8V FT=16G
|
|
6,333En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-363-6
|
Bipolar
|
Si
|
16 GHz
|
|
|
+ 150 C
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,60W,28V,2-175MHz
- DU2860U
- MACOM
-
1:
$181.75
-
15En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
DU2860U
N.º de artículo de Mouser
937-DU2860U
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,60W,28V,2-175MHz
|
|
15En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
Screw Mount
|
|
|
Si
|
175 MHz
|
60 W
|
|
+ 200 C
|
13 dB
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet
- MRF140
- MACOM
-
1:
$253.72
-
22En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF140
N.º de artículo de Mouser
937-MRF140
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet
|
|
22En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
Screw Mount
|
|
|
Si
|
150 MHz
|
150 W
|
|
+ 200 C
|
15 dB
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS
- MRF174
- MACOM
-
1:
$156.06
-
67En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF174
N.º de artículo de Mouser
937-MRF174
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS
|
|
67En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
Screw Mount
|
211-07
|
|
Si
|
200 MHz
|
125 W
|
- 65 C
|
+ 200 C
|
9 dB
|
|
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 100-400MHz 125Watts 28Volt Gain 10dB
- MRF392
- MACOM
-
1:
$246.56
-
12En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF392
N.º de artículo de Mouser
937-MRF392
|
MACOM
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 100-400MHz 125Watts 28Volt Gain 10dB
|
|
12En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Screw Mount
|
744A-01
|
Bipolar Power
|
Si
|
500 MHz
|
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
- UF28100V
- MACOM
-
1:
$359.14
-
14En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
937-UF28100V
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
|
|
14En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
744A-01
|
|
Si
|
100 MHz to 500 MHz
|
100 W
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
10 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET
- MWT-773
- CML Micro
-
1:
$57.65
-
98En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MWT-773
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-773
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET
|
|
98En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
100
|
|
RF MOSFETs
|
|
|
|
GaAs
|
26 GHz
|
20 dBm
|
|
+ 150 C
|
11 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.60mmPwrpHEMT
- QPD2060D
- Qorvo
-
100:
$12.09
-
100En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
772-QPD2060D
|
Qorvo
|
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.60mmPwrpHEMT
|
|
100En existencias
|
|
Min.: 100
Mult.: 100
:
100
|
|
RF JFET Transistors
|
|
|
pHEMT
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-PH9F
- CML Micro
-
10:
$94.74
-
100En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH9F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
|
|
100En existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
RF MOSFETs
|
|
Die
|
pHEMT
|
GaAs
|
26 GHz
|
28 dBm
|
|
+ 150 C
|
13 dB
|
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz
- FH2164
- MACOM
-
1:
$171.70
-
17En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
FH2164
N.º de artículo de Mouser
937-FH2164
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz
|
|
17En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
Screw Mount
|
|
|
Si
|
30 MHz to 90 MHz
|
8 W
|
|
+ 200 C
|
13 dB
|
|
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,25W,3.1-3.5GHz,2uS,10%
- PH3135-25S
- MACOM
-
1:
$459.20
-
18En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
937-PH3135-25S
|
MACOM
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,25W,3.1-3.5GHz,2uS,10%
|
|
18En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices
- MWT-LN600
- CML Micro
-
10:
$32.45
-
100En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-LN600
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices
|
|
100En existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
RF MOSFETs
|
|
Die
|
pHEMT
|
GaAs
|
26 GHz
|
20 dBm
|
|
+ 150 C
|
8 dB, 11 dB
|
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF Bipolar Transistor .1A 900mW
- MT3S113TU,LF
- Toshiba
-
1:
$1.40
-
909En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-MT3S113TULF
|
Toshiba
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF Bipolar Transistor .1A 900mW
|
|
909En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
UFM-3
|
Bipolar
|
SiGe
|
11.2 GHz
|
|
|
+ 150 C
|
|
|
Reel, Cut Tape
|
|