Transistores de radiofrecuencia

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Estilo de montaje Paquete / Cubierta Tipo de transistor Tecnología Frecuencia de trabajo Potencia de salida Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Ganancia Calificación Empaquetado
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-301AVT/SOT127/TRAYD Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 300 W - 40 C + 150 C 15.6 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-360AV/SOT1258/REELD Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 100
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: 100

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 360 W - 40 C + 125 C 15.4 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-360AVT/SOT1258/TRAYD Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 360 W - 40 C + 125 C 15.4 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-400AVT/SOT1270/TRAY Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 400 W - 40 C + 125 C 15.7 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/TRAY Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 550 W - 40 C + 125 C 16.1 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/REEL Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 550 W - 40 C + 125 C 16.1 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/TRAY Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 550 W - 40 C + 125 C 16.1 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 600 W - 40 C + 125 C 16 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/TRAYDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 600 W - 40 C + 125 C 16 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-551AV/SOT539/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 100
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-5-7 LDMOS 1.93 GHz to 2 GHz 160 W - 40 C + 150 C 15 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-551AV/SOT1258/TRAYD Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-5-7 LDMOS 1.93 GHz to 2 GHz 160 W - 40 C + 150 C 15 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-551AV/OMP-1230/REEL Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 300
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-5-7 LDMOS 1.93 GHz to 2 GHz 160 W - 40 C + 150 C 15 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-600AVT/SOT125/REELD Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.93 GHz to 1.995 GHz 600 W - 40 C + 125 C 15 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-600AVT/SOT125/TRAYD Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.93 GHz to 1.995 GHz 600 W - 40 C + 125 C 15 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-601AVT/SOT1258/REEL Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 100
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RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.93 GHz to 1.995 GHz 600 W - 40 C + 125 C 15 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-601AVT/SOT1258/TRAYD Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.93 GHz to 1.995 GHz 600 W - 40 C + 125 C 15 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/REEL Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
: 300

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 2.1 GHz to 2.17 GHz 300 W - 40 C + 150 C 15 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/REEL Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 2.1 GHz to 2.17 GHz 300 W - 40 C + 150 C 15 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/TRAY Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 2.1 GHz to 2.17 GHz 300 W - 40 C + 150 C 15 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 2.11 GHz to 2.2 GHz 400 W - 40 C + 125 C 16.3 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-401AVT/SOT1275/REEL Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 2.11 GHz to 2.2 GHz 400 W - 40 C + 125 C 15 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/REEL Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 2.1 GHz to 2.2 GHz 550 W - 40 C + 125 C 16 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/TRAY Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 2.1 GHz to 2.2 GHz 550 W - 40 C + 125 C 16 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-570AVT/SOT1258/TRAY Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 2.11 GHz to 2.18 GHz 570 W - 40 C + 125 C 15.7 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-600AVT/SOT1258/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 2.11 GHz to 2.17 GHz 600 W - 40 C + 125 C 15 dB Reel