Transistores de radiofrecuencia

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Estilo de montaje Paquete / Cubierta Tipo de transistor Tecnología Frecuencia de trabajo Potencia de salida Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Ganancia Calificación Empaquetado
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V Plazo de entrega 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 330 W - 40 C + 150 C 20.4 dB Tube
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PQFN-24 Si 728 MHz to 960 MHz 2 W - 40 C + 150 C 19.1 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

RF MOSFET Transistors SMD/SMT TO-270-2 Si 764 MHz to 941 MHz 32 W - 40 C + 150 C 15.7 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 520 MHz, 8 W, 12.5 V Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PLD-1.5 Si 520 MHz 8 W - 65 C + 150 C 13 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

RF MOSFET Transistors Screw Mount NI-780 Si 960 MHz to 1.215 GHz 275 W + 150 C 20.3 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

RF MOSFET Transistors Screw Mount NI-780H-2 Si 1.215 MHz to 960 MHz 500 W + 150 C 19.7 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT NI-1230 Si 1.8 MHz to 600 MHz 600 W + 150 C 25 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 150

RF MOSFET Transistors SMD/SMT NI-1230 Si 1.8 MHz to 600 MHz 600 W + 150 C 25 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology ARF1511
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si
Microchip Technology ARF463BG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 30
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si Tube
Microchip Technology ARF463BP1G
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole Si 100 MHz 100 W - 55 C + 150 C 15 dB Tube
Microchip Technology ARF468BG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 25
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole Si 45 MHz 300 W - 55 C + 150 C 15 dB Tube
Microchip Technology ARF469AG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si Tube
Microchip Technology ARF469BG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 25
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si Tube
Microchip Technology VRF141G
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M208 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si
Microchip Technology VRF141MP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174 MATCHED PAIR Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si
Microchip Technology VRF152MP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 10
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si
Microchip Technology VRF154FL
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 10
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si
Microchip Technology VRF154FLMP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 MATCHED PAIR Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 10
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si
Microchip Technology VRF157FL
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 10
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si
Microchip Technology VRF157FLMP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 MATCHED PAIR Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 10
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si
Microchip Technology VRF161
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174 Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 12
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si
Microchip Technology VRF161MP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174 MATCHED PAIR Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 10
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 150 MHz 200 W - 65 C + 150 C 24 dB
Microchip Technology VRF2944MP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177 MATCHED PAIR Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 10
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si
STMicroelectronics RF2L24280CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 280 W, 28 V, 2.4 to 2.5 GHz RF Power LDMOS transistor Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

RF MOSFET Transistors Si Tray