|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD06N80C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.51
-
3,446En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD06N80C3ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
3,446En existencias
|
|
|
$2.51
|
|
|
$1.25
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.895
|
|
|
$0.837
|
|
|
$0.774
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD04N80C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.29
-
1,335En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD04N80C3ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
1,335En existencias
|
|
|
$2.29
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.88
|
|
|
$0.758
|
|
|
$0.725
|
|
|
$0.692
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD04N60C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.44
-
2,771En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD04N60C3ATMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
2,771En existencias
|
|
|
$2.44
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.86
|
|
|
$0.843
|
|
|
$0.801
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
- SPD08P06PGXT
- Infineon Technologies
-
1:
$1.42
-
12,276En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD08P06PGXT
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
|
|
12,276En existencias
|
|
|
$1.42
|
|
|
$0.873
|
|
|
$0.576
|
|
|
$0.452
|
|
|
$0.35
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.387
|
|
|
$0.31
|
|
|
$0.30
|
|
|
$0.264
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
- SPD18P06PGBTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.37
-
30,166En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD18P06PGBTMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
|
|
30,166En existencias
|
|
|
$2.37
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.24
|
|
|
$1.11
|
|
|
$0.718
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD03N60C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.89
-
1,925En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD03N60C3ATMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
1,925En existencias
|
|
|
$1.89
|
|
|
$1.21
|
|
|
$0.81
|
|
|
$0.642
|
|
|
$0.597
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.598
|
|
|
$0.575
|
|
|
$0.562
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
- SPD09P06PL G
- Infineon Technologies
-
1:
$1.74
-
591En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD09P06PLG
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
|
|
591En existencias
|
|
|
$1.74
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.707
|
|
|
$0.556
|
|
|
$0.43
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.475
|
|
|
$0.382
|
|
|
$0.369
|
|
|
$0.358
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD07N60C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.09
-
858En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD07N60C3ATMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
858En existencias
|
|
|
$3.09
|
|
|
$2.01
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.18
|
|
|
$1.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD08N50C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.76
-
38En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD08N50C3ATMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
38En existencias
|
|
|
$2.76
|
|
|
$1.36
|
|
|
$1.22
|
|
|
$0.979
|
|
|
$0.962
|
|
|
$0.863
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -30A DPAK-2
- SPD30P06PGBTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.56
-
544En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD30P06PGBTMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -30A DPAK-2
|
|
544En existencias
|
|
|
$2.56
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.919
|
|
|
$0.777
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.856
|
|
|
$0.735
|
|
|
$0.725
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 15A DPAK-2
- SPD15P10PGBTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.42
-
133En existencias
-
2,500En pedido
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD15P10PGBTMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 15A DPAK-2
|
|
133En existencias
2,500En pedido
|
|
|
$2.42
|
|
|
$1.56
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.85
|
|
|
$0.777
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.826
|
|
|
$0.726
|
|
|
$0.716
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD02N80C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.80
-
192En existencias
-
35,000Se espera el 29/4/2027
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD02N80C3ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
192En existencias
35,000Se espera el 29/4/2027
|
|
|
$1.80
|
|
|
$0.857
|
|
|
$0.736
|
|
|
$0.596
|
|
|
$0.493
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.559
|
|
|
$0.479
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
- SPD08P06PGBTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.27
-
67En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD08P06PGBTMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
|
|
67En existencias
|
|
|
$1.27
|
|
|
$0.795
|
|
|
$0.576
|
|
|
$0.452
|
|
|
$0.35
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.387
|
|
|
$0.32
|
|
|
$0.30
|
|
|
$0.285
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 15A DPAK-2
- SPD15P10P G
- Infineon Technologies
-
1:
$2.65
-
2,400Se espera el 20/10/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD15P10PG
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 15A DPAK-2
|
|
2,400Se espera el 20/10/2026
|
|
|
$2.65
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.16
|
|
|
$0.98
|
|
|
$0.868
|
|
|
$0.789
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 15A DPAK-2
- SPD15P10PLGBTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.57
-
618En pedido
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD15P10PLGBTMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 15A DPAK-2
|
|
618En pedido
|
|
|
$2.57
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.835
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
- SPD09P06PLGBTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.57
-
2,464En pedido
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD09P06PLGBTMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
|
|
2,464En pedido
|
|
|
$1.57
|
|
|
$0.738
|
|
|
$0.656
|
|
|
$0.513
|
|
|
$0.495
|
|
|
$0.389
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
- SPD50P03L G
- Infineon Technologies
-
1:
$1.87
-
2,000Se espera el 15/7/2027
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD50P03LG
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
|
|
2,000Se espera el 15/7/2027
|
|
|
$1.87
|
|
|
$1.18
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.461
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 4.2A DPAK-2
- SPD04P10PL G
- Infineon Technologies
-
1:
$1.37
-
2,484En pedido
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD04P10PLG
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 4.2A DPAK-2
|
|
2,484En pedido
|
|
|
$1.37
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.718
|
|
|
$0.565
|
|
|
$0.379
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.505
|
|
|
$0.362
|
|
|
$0.349
|
|
|
$0.329
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
- SPD50P03LGBTMA1
- Infineon Technologies
-
2,500:
$0.532
-
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD50P03LGBTMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
|
|
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
|
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
Herramientas de desarrollo de circuitos integrados de memoria SPD5-HERRADURA Poppy hills eval board
Renesas Electronics SPD5-HERRADURA
- SPD5-HERRADURA
- Renesas Electronics
-
1:
$770.00
-
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
972-SPD5-HERRADURA
|
Renesas Electronics
|
Herramientas de desarrollo de circuitos integrados de memoria SPD5-HERRADURA Poppy hills eval board
|
|
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Herramientas de desarrollo de antenas SP.1615.25.4.A.02 Globalstar patch Antenna 25*25*4mm on EVB with 5 pcs of SP.1615.25.4.A.02
Taoglas SPD.25A
- SPD.25A
- Taoglas
-
1:
$41.33
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo del Fabricante
SPD.25A
N.º de artículo de Mouser
960-SPD.25A
|
Taoglas
|
Herramientas de desarrollo de antenas SP.1615.25.4.A.02 Globalstar patch Antenna 25*25*4mm on EVB with 5 pcs of SP.1615.25.4.A.02
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
EEPROM 2.5-5.5v, 5MHz, A-Tmp, 8-SOIC
- AT25256B-SSPDGV-T
- Microchip Technology
-
4,000:
$1.44
-
4,000En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
579-AT25256BSSPDGV-T
|
Microchip Technology
|
EEPROM 2.5-5.5v, 5MHz, A-Tmp, 8-SOIC
|
|
4,000En existencias
|
|
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
:
4,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
- DMNH6035SPDW-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$2.22
-
3,368En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMNH6035SPDW-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
|
|
3,368En existencias
|
|
|
$2.22
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.947
|
|
|
$0.768
|
|
|
$0.688
|
|
|
$0.613
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
EEPROM 2.5-5.5v, 5MHz, A-Tmp, 8-SOIC
- AT25128B-SSPDGV-T
- Microchip Technology
-
4,000:
$0.993
-
4,000En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
579-AT25128BSSPDGV-T
|
Microchip Technology
|
EEPROM 2.5-5.5v, 5MHz, A-Tmp, 8-SOIC
|
|
4,000En existencias
|
|
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
:
4,000
|
|
|
|
|
IGBTs Trench IGBT
- FGB40T65SPD-F085
- onsemi
-
1:
$6.43
-
3,821En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FGB40T65SPD_F085
|
onsemi
|
IGBTs Trench IGBT
|
|
3,821En existencias
|
|
|
$6.43
|
|
|
$4.31
|
|
|
$3.11
|
|
|
$2.38
|
|
|
$2.37
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|