Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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IPP60R120C7XKSA1
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362En existencias
500Se espera el 16/7/2026

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720Se espera el 7/5/2026

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205En existencias

720Se espera el 7/5/2026

$8.41

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223En existencias

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600 V

29 A

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Infineon Technologies
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240Se espera el 11/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPZ60R040C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

240Se espera el 11/6/2026

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$9.44

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$7.00

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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