Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 27

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $20.47
1,492En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R017C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,492En existencias

$20.47

$12.81

$12.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

109 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

240 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.28
7,294En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

7,294En existencias

Cinta cortada

$3.28

$2.01

$1.46

$1.26

Envase tipo carrete

$1.09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.12
2,682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R180C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,682En existencias

Cinta cortada

$3.12

$2.12

$1.76

$1.25

Envase tipo carrete

$1.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185C7AUMA1
Infineon Technologies
1: $3.80
2,662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,662En existencias

Cinta cortada

$3.80

$2.39

$1.73

$1.43

$1.38

Envase tipo carrete

$1.29

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

185 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24 nC

- 40 C

+ 150 C

77 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.26
918En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

918En existencias

$5.26

$3.72

$3.00

$2.79

$2.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $6.15
385En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

385En existencias

$6.15

$3.24

$2.96

$2.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $13.14
2,692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,692En existencias

$13.14

$9.79

$8.15

$7.27

$6.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R060C7ATMA1
Infineon Technologies
1: $9.40
1,039En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R060C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,039En existencias

Cinta cortada

$9.40

$6.61

$5.35

$4.75

Envase tipo carrete

$4.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

162 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R099C7ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.34
1,370En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,370En existencias

Cinta cortada

$7.34

$4.80

$3.54

$3.14

Envase tipo carrete

$2.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $12.62
336En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R040C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

336En existencias

$12.62

$9.12

$7.60

$6.77

$6.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R040C7ATMA1
Infineon Technologies
1: $12.57
884En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R040C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R040C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

884En existencias

Cinta cortada

$12.57

$9.09

$7.58

$6.75

Envase tipo carrete

$6.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R104C7AUMA1
Infineon Technologies
1: $7.43
2,712En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R104C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R104C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,712En existencias

Cinta cortada

$7.43

$4.86

$3.58

$3.18

$2.82

Envase tipo carrete

$2.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

83 A

104 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

42 nC

- 40 C

+ 150 C

122 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $9.34
439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R060C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

439En existencias

$9.34

$6.57

$5.32

$4.72

$4.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

162 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $9.44
192En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R060C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

192En existencias

$9.44

$6.65

$5.38

$4.78

$4.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

16 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.94
148En existencias
500Se espera el 2/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R180C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

148En existencias

500Se espera el 2/7/2026

$3.94

$2.57

$1.87

$1.56

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

346 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $7.29
165En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

165En existencias

$7.29

$4.88

$3.92

$3.48

$3.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $6.83
223En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R120C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R120C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

223En existencias

$6.83

$4.47

$3.29

$2.93

$2.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.32
197En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R180C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

197En existencias

$5.32

$3.48

$2.60

$2.17

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZ60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $7.95
25En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ60R099C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

25En existencias

$7.95

$5.32

$4.28

$3.80

$3.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065C7AUMA1
Infineon Technologies
1: $8.26
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R065C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

Cinta cortada

$8.26

$5.82

$4.71

$4.18

$3.74

Envase tipo carrete

$3.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 40 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.72
583En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R120C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R120C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

583En existencias

$5.72

$3.75

$2.76

$2.45

$2.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.96
362En existencias
500Se espera el 6/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

362En existencias

500Se espera el 6/8/2026

$3.96

$2.59

$1.88

$1.57

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

155 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $10.04
10En existencias
720Se espera el 16/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R060C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

10En existencias

720Se espera el 16/7/2026

$10.04

$6.85

$5.65

$5.04

$4.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

162 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.68
1,990Se espera el 9/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R120C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,990Se espera el 9/7/2026

$5.68

$3.72

$2.74

$2.43

$2.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZ60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $24.41
479Se espera el 24/6/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPZ60R017C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

479Se espera el 24/6/2027

$24.41

$18.23

$15.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

109 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

240 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte